臺積電17日聯(lián)合臺大、麻省理工宣布，在1nm以下芯片方面取得了長足的進(jìn)步，研究成果已經(jīng)在Nature上公布。

　　研究發(fā)現(xiàn)，使用半金屬鉍Bi作為二維材料的接觸電極，可以大大降低電阻，增加電流，達(dá)到接近量子極限的能效，有望挑戰(zhàn)1nm以下工藝的芯片。

　　據(jù)悉，該發(fā)現(xiàn)是麻省理工團(tuán)隊(duì)首先發(fā)現(xiàn)的，隨后臺積電將易沉積工藝優(yōu)化，而臺大電機(jī)系和光電所教授吳志毅團(tuán)隊(duì)則通過氦離子束微影系統(tǒng)將元件通道成功縮小到納米大小。

　　此前，IBM于5月初推出2nm工藝芯片。與目前主流的7nm芯片相比，IBM2nm芯片的性能有望提高45%，能耗降低75%。

　　但業(yè)內(nèi)人士表示，由于IBM沒有先進(jìn)的邏輯制程芯片晶圓廠，其2nm工藝不能迅速落地，彎道超車更加困難。

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